LED 外延片工艺流程

LED 外延片工艺流程如下：
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，led外延片多少钱，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
二次封装LED主要可用于以下几个方面：
　　(1)应用于广场、公园地下　　由于二次封装LED防护等级达到高的IP68，可用于地下、水下等恶劣环境，被广泛的应用于广场、公园、河道等场所的景观用灯。如武汉的江滩公园玻璃广场地下景观及显示屏照明、杭州西城广场地下灯光带、鄂尔多斯草坪造型照明、诸暨浦阳江河道照明等。照明设计师在设计广场、公园、河道等场所照明时，可以利用二次封装LED该特性，改变传统景观照明设计的局限性，创意出更好的景观照明作品。
　　(2)应用于桥梁照明　　因二次封装LED点光源外形超薄、材质透明、体积小、重量轻、软线连接的特点，当在桥梁上使用时，与传统的LED数码管和传统的LED点光源相比，不会破坏桥梁的白天效果，非常适合像桥梁这种安装维护难度较高的环境。如：青岛丹山大桥、绍兴常禧桥、南通怡桥。
　　(3)应用于楼体轮廓及立面幕墙　　以往幕墙照明是一个难以解决的灯照明设计课题，二次封装LED的面世，了这一难题，其安装灵活、防水性好、安全节能，是幕墙节点安装的理想灯具。利用电脑控制，设计成广告显示屏形式，既可以作为外墙景观照明的一部分，也可以作为广告显示屏使用。
LED屏和主板之间的数据传输一般采用的都是串行式数据传输方式(SPI)，再通过信号包复用技术同步传送显示数据和控制数据，但在刷新率和解析度提高的情况下，很容易造成资料传输的瓶颈，导致系统的不稳定。此外，在LED屏屏幕面积较大时，控制线往往也非常长，容易受到电磁干扰，湖州led外延片，影响传输信号的质量。
　　虽然近年来有些厂商引入了新的传输介质，led外延片批发，但如何才能为用户提供真正性能，且较高的产品方案是困扰产业的一个重点问题。为此，部分厂商提出，LED显示屏的数据传输方式亟待需要从层的技术层面入手，led外延片报价，寻找到一种创新的解决方案。
　　值得注意的是，LED屏技术革新已牵涉到产业链的各个环节，包括驱动IC制作工艺的提升、控制系统的硬件化、控制软件的智能化开发等等，这些技术创新需要IC设计厂商、控制系统开发厂商、面板厂商，甚于包括终端用户等更为紧密地结合在一起，共同打破行业应用的“僵局”。特别是在控制系统的开发上，如何与IC设计公司更好地相互协作，提高LED屏的系统性能以及控制软件的智能化水平是当务之急。
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衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；